激光二极管 介绍
中型准连续激光二极管堆栈基于独到的LD Bar 条封装技术,LUMIBIRD 提供准连续(QCW)、连续(CW)激光二极管堆栈及模块,所有模块都采用可靠的传导散热技术;同时,LUMIBIRD 半导体激光部门具备完整的振动、冲击、温度循环、耐辐射测试与老化能力,可提供宇航级产品。
Bs激光二极管 规格
型号 | Bs | Note |
Bar width W (mm) | 10 | 标准:3 - 5 - 10 |
Number of bars N | 18 | - |
Stack bar pitch T (mm) | 0.38 min | 标准间距: 0.38-0.8-1.2① |
发射面积 (mm²) 不含 FAC选项② | 10 x 6.5 | 适用公式: W x [(N-1) x T] |
带 FAC 选项的发射面积 (mm²)② | 10 x 6.9 | 适用公式: W x [N x T] |
每条峰值QCW光功率(W) | 400 | 参考最大额定值表 |
堆叠峰值QCW光功率(W) | 7200 | - |
最大 QCW 工作电流(A) | 380 | - |
工作电压(V) | < 2 V/bar | - |
电光效率(%) | 60% @ 808 nm 65% @ 980 nm | - |
波长(nm) | 800 – 980 nm (808-880-905-915-940-980) | 可根据要求提供 760 至 1060 nm 之间的其它波长 |
光谱宽度(nm) | ≤ 3 @ 8xx nm ≤ 5 @ 9xx nm | - |
慢轴发散角 FWHM (°) | ≤ 12 | - |
快轴发散角 FWHM (°) | ≤ 36 | - |
光束发散角 FWHM (°),带 FAC 选项 ② | ≤ 1 | - |
波长随温度的变化(nm / °C) | 0.27 @ 808 nm 0.30 @ 980 nm | - |
脉冲宽度(µs) | 300 | - |
占空比(%) | 10 | - |
平均功率 (W) | 40 | - |
反向电压(V) | 3 | - |
储存温度(°C) | - 55 to + 85 | - |
工作温度 (°C) | - 50 to + 80 | - |
以上规格适用于 808 和 980 nm。如需其它波长,请联系我们。
(1) 如需定制功能,请随时联系我们。
(2) FAC:快速轴准直
尺寸图
Bs中型准连续激光二极管堆栈法国LUMIBIRD
Bs中型准连续激光二极管堆栈法国LUMIBIRD