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低噪声SI硅高速平衡光电探测器

低噪声SI硅高速平衡光电探测器

简要描述:
带宽 DC 至 500 MHz,共模抑制比 (CMRR) 40 dB 典型值,Si-PIN 探测器,0.4 mm 有效直径,光谱范围 320 – 1000 nm,极低 NEP,低至 12 pW/√Hz,跨阻增益可切换 5 × 103 V/A、10 × 103 V/A,高动态输入范围,最高可达 2 × 10 mW 平衡光功率,低噪声SI硅高速平衡光电探测器HBPR-500M-10K-SI-FC/FS

更新时间:2024-09-11

访问量:113

厂商性质:生产厂家

生产地址:德国

一、特征

带宽 DC 至 500 MHz

共模抑制比 (CMRR) 40 dB 典型值

Si-PIN 探测器,0.4 mm 有效直径

光谱范围 320 – 1000 nm

极低 NEP,低至 12 pW/√Hz

跨阻增益可切换 5 × 103 V/A、10 × 103 V/A

高动态输入范围,最高可达 2 × 10 mW 平衡光功率

具有 10 MHz 带宽和 1 × 103 V/A 增益的快速监视器输出

可切换低通滤波器,用于最大限度地降低宽带噪声

自由空间输入 1.035"-40 螺纹,可使用可选的旋入式适配器轻松转换为光纤输入 (FC 和 FSMA)

UNC 8-32 和 M4 螺纹孔,用于安装在具有公制和英制螺纹的标准柱上

二、规格参数

型号HBPR-500M-10K-SI-FST
HBPR-500M-10K-SI-FC
Si-PIN光电二极管0.4 mm ⌀,FC 版本,带球透镜
波长范围320 – 1000 nm
带宽(-3 dB)DC-500MHz
跨阻增益(可切换)5×10^ 3V/A
10×10^ 3V/A
最大转换增益(可切换)2.55 x 10 3 V/W typ
5.1 x 10 3 V/W typ
@ 760 nm)
低ENP≤ 12 pW/√Hz (@760 nm)
NEP (@20MHz)≤ 13 pW/√Hz (@760 nm)
共模抑制(典型值)40dB
最大共模功率10 mW / 每个光电二极管
低通滤波器带宽可切换至 20 MHz
高通滤波器(交流耦合)直流耦合可切换为交流耦合
 * 截止频率:10 Hz
信号输出±1.0 V @50 Ω 负载(线性放大和低谐波失真)
最大 ±2.0 V @50 Ω 负载
监控输出跨阻增益:1000 V/A,
带宽:DC 至 10 MHz,
输出电压:0 至 +10 V(@ ≥100 kΩ 负载)
电源输入±15 V (±14.5 V … ±16.5 V),–90 / +120 mA typ
大小80 x 80 x 30.5 mm(长 x 宽 x 高),重量 350 克(0.77 磅)

三、应用

光谱学

异差检测

光学相干断层扫描 (OCT)

光学延迟测量

示波器、频谱分析仪、A/D 转换器和 RF 锁相放大器的差分光学前端

四、电路图

低噪声SI硅高速平衡光电探测器

低噪声SI硅高速平衡光电探测器HBPR-500M-10K-SI-FC/FS

低噪声SI硅高速平衡光电探测器HBPR-500M-10K-SI-FC/FS

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