HCA-S-200M 配备大面积 Si-PIN 和 InGaAs-PIN 光电二极管，覆盖 320 至 1000 nm 或 900 至 1700 nm 的光谱范围。
对于 InGaAs 型号，集成放大器的阻抗为 2 × 10^4 V/A，1550 nm 处的最大转换增益为 1.9 × 10^4 V/W。复杂的直流耦合多级放大器设计可以测量直流至高达 200 MHz 的带宽，对应的上升时间低至 1.8 ns。 5 W/√Hz 的低噪声等效功率 (NEP) 允许使用微瓦范围内的光功率进行检测，而无需进行信号平均。这意味着可以直接检测低至微瓦范围的短脉冲，而无需额外的信号平均。
| 型号 | HCA-S-200M-SI-FC | HCA-S-200M-IN-FC |
|---|---|---|
| 光电二极管 | 0.8mm Ø Si-PIN | 0.3mm Ø InGaAs PIN |
| 光谱范围 | 320 ~ 1100 nm | 900 ~ 1700 nm |
| 带宽 (-3dB) | DC - 200 MHz | DC - 200 MHz |
| 上升/下降时间 (10%~90%) | 1.8 ns | 1.8 ns |
| 跨阻增益 | 2 x 10^ 4 V/A | 2 x 10^ 4 V/A |
| 最大转换增益 | 6.2 x 10 6 V / W (@ 900nm) | 9.5 x 10 6 V / W (@ 1550 nm) |
| 最小 NEP (@10kHz) | 1.1 × 10 4 V / W (@ 800n) | 9.5 x 10^6 V/W (@ 1550nm) |
输出电压±1.2 V(用于50 Ω负载下的线性操作)。偏移可通过电位计调节。输出短路保护。带自由空间输入的光接收器配有螺纹 M4 和 8-32 安装孔，可与标准安装柱一起使用。电源±15 V，通过 3 针 Lemo ® 插座。设备随附配套连接器。可选电源 PS-15 可用。有关更多信息，请查看数据表或联系 FEMTO。
InGaAs-PIN光电探测器HCA-S-200M-IN-FC/FST
InGaAs-PIN光电探测器HCA-S-200M-IN-FC/FST
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